Funcionamiento Del Mosfet De Empobrecimiento Y De Enriquecimiento
Written by Gerardo Molina
Updated at:
Un MOSFET (Metal-Óxido-Semiconductor Transistor de Efecto de Campo) es un tipo de transistor utilizado ampliamente en la electrónica. Existen dos tipos principales: el MOSFET de empobrecimiento (o depleción) y el MOSFET de enriquecimiento (o mejora).
MOSFET de Empobrecimiento (Depleción):
En un MOSFET de empobrecimiento, un canal conductor ya existe entre la fuente (Source) y el drenador (Drain) incluso con voltaje cero en la compuerta (Gate). Piensa en ello como una autopista ya construida.
1. Voltaje cero en la compuerta (VGS = 0V): La corriente (ID) fluye libremente entre la fuente y el drenador a través del canal preexistente.
PPT - Introducción a la Electrónica PowerPoint Presentation, free
2. Voltaje negativo en la compuerta (VGS < 0V para un canal N): Un voltaje negativo en la compuerta repele los portadores de carga (electrones en un canal N) del canal. Esto reduce la conductividad del canal, "empobreciéndolo" de portadores y disminuyendo la corriente ID. Cuanto más negativo sea VGS, menor será ID.
3. Voltaje positivo en la compuerta (VGS > 0V para un canal N): Aunque diseñado para operar con VGS negativo, un pequeño voltaje positivo puede aumentar ligeramente la conductividad del canal y aumentar ID.
El transistor JFET en la zona óhmica - ppt video online descargar
MOSFET de Enriquecimiento (Mejora):
En un MOSFET de enriquecimiento, no existe un canal conductor entre la fuente y el drenador cuando el voltaje de la compuerta es cero. Imagina que la autopista necesita ser construida antes de que puedan pasar los coches.
Transistor MOSFET Canal N Canal P JFET Hetpro TUTORIALES
Funcionamiento:
1. Voltaje cero en la compuerta (VGS = 0V): No hay corriente (ID) entre la fuente y el drenador porque no hay canal.
PPT - Introducción a la Electrónica PowerPoint Presentation, free
2. Voltaje positivo en la compuerta (VGS > VTH para un canal N): Un voltaje positivo en la compuerta atrae portadores de carga (electrones en un canal N) hacia el área debajo de la compuerta, creando un canal conductor. VTH es el voltaje umbral (Threshold Voltage) necesario para formar el canal.
3. A medida que VGS aumenta (VGS > VTH): Se acumulan más portadores de carga, mejorando la conductividad del canal y permitiendo que fluya la corriente ID. Cuanto mayor sea VGS, mayor será ID.
En resumen, el MOSFET de empobrecimiento tiene un canal preexistente que se puede reducir, mientras que el MOSFET de enriquecimiento necesita un voltaje en la compuerta para crear un canal.
